01 · WET
湿法
包括湿法清洗,湿法刻蚀,湿法去胶等工艺。
02 · ELECTROPLATING
电镀
铜在几十微米深的孔里怎么长,要切开才知道。
03 · LITHOGRAPHY
光刻
涂胶、软烘、曝光、显影,每一步的温度和时间都压在线宽上。
04 · ETCHING
刻蚀
选择比、侧壁角度、负载效应。
05 · PVD · CVD · ALD
薄膜沉积
台阶覆盖率决定了深孔种子层能不能连上。
06 · CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION
CMP 抛光
压力、转速与图形密度共同决定去除速率;碟形凹陷和侵蚀是图形相关的二次效应。
07 · IMPLANT · DIFFUSION
掺杂
注入能量决定射程,退火温度和时间决定再分布。
08 · ADVANCED PACKAGING
先进封装
凸块、RDL、混合键合。