CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION
压力、转速与图形密度共同决定去除速率；碟形凹陷和侵蚀是图形相关的二次效应。
CMP 抛光年会员 解锁本工序全部 2 个模拟器，含全部参数、参数保存与导出。
压力 × 线速度，去除速率的一阶模型。
铜线宽度与图形密度对凹陷深度的影响。
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