槽式湿法清洗工艺沙盘

槽式湿法清洗工艺沙盘v1.0

设定晶圆与表面结构、来料沾污、各槽药液配比与温度、兆声、冲洗与干燥方式，推演整批晶圆在 SPM / DHF / SC1 / SC2 / 热磷酸 / 臭氧水各槽中的演化：颗粒去除与回沾、氧化层与 SiN 去除、Si 消耗与 CD 损失、金属与离子残留、表面终止、粗糙度、水印与图形倒塌。半经验模型，用于理解趋势与工艺窗口。

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    SEM / FIB 图像 按当前工艺状态生成的示意量测图，点击放大

    清洗结果 当前时间点

    综合判定

    工艺诊断 按清洗结束时的结果

      各槽 SiO₂ 刻蚀速率 (起始条件)
      各步颗粒去除 (≥45 nm)
      各步金属降幅 (最大元素)

      过程曲线 整个清洗流程，色带为各槽，虚线为当前时间点

      数据导出 CSV 含 UTF-8 BOM，可直接用 Excel 打开

      全部数据 + 图像配方、时间序列、量测指标、截面轮廓、工序表、扫描曲线，以及当前视图截图和清洗中途 / 结束两组 SEM/FIB 图，打包为 ZIP。
      工艺配方全部工艺条件，可在别处重新导入。
      时间序列每个时间点的颗粒、膜厚、Si 损失、金属、离子与有机残留、粗糙度、水印、倒塌等。
      量测指标当前时间点的全部结果指标。
      截面轮廓沿图形宽度方向的各层上表面高度 (nm)。
      工序表每道工序的时间、条件与结束时结果。
      灵敏度扫描下方扫描图的数据点。

      数据预览：工序表

      单因素灵敏度扫描 其余条件保持当前值，按清洗结束结果

      湿法清洗工艺因素影响速查表

      模型说明：SiO₂ 在 DHF 中按 23 Å/min (0.49 wt%、23 °C) 折算浓度指数 1.15、Ea 0.33 eV；BOE 按 NH₄F:HF 比折算；SC1 氧化层刻蚀以 1:1:5、70 °C 约 2 Å/min 为基准、Ea 0.55 eV，裸 Si 处按“氧化–溶解”稳态消耗 0.44 倍氧化层厚度；H₂O₂ / NH₃ 按温度相关半衰期衰减。颗粒按粒径分档，去除速率 = 化学底切项 + 兆声项 (声边界层 δ = √(2ν/ω)，有效去除粒径随功率密度与频率下降)，回沾按 zeta 电位、疏水表面与过滤精度计算；兆声损伤阈值随 CD、深宽比和频率变化。金属在 SC1 中向槽液杂质决定的平衡值吸附，在 SC2 / SPM / HF 中按时间常数脱附，HF 中 Cu 在 Si–H 表面析出。冲洗按 QDR 单次残留比或溢流置换计算，高粘度 SO₄²⁻ / PO₄³⁻ 的冲洗效率随水温提高。干燥后的图形倒塌按 R = 6γcosθ·H⁴ / (E·W³·s²) 判断，水印随疏水表面、干燥方式和溶解氧变化。SEM / FIB 图为按计算状态渲染的示意图，不是实拍。系数取公开文献量级，仅供趋势分析。 · Tom聊芯片智造