单片湿法清洗工艺沙盘v1.0

设定机台、喷嘴与物理辅助、清洗配方、来料沾污和图形结构，推演单片旋转湿法清洗的全过程：颗粒去除、膜层损失与均匀性、金属与有机残留、图形损伤与干燥倒塌、水痕。半经验模型，用于理解趋势与工艺窗口。

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    SEM / FIB / TEM 图像 按当前工艺条件生成的示意量测图，点击放大

    清洗结果 当前时间点

    综合判定

    工艺诊断 按整个配方结束时的结果

      各粒径颗粒去除率 PRE
      各膜层损失 (晶圆平均)
      表面金属残留 (10¹⁰ atoms/cm²)

      数据导出 CSV 含 UTF-8 BOM，可直接用 Excel 打开

      全部数据 + 图像配方、时间序列、分段表、量测指标、径向分布、颗粒坐标、扫描曲线，以及当前视图截图和 8 张 SEM/FIB/TEM 图，打包为 ZIP。
      工艺配方全部工艺条件，可在别处重新导入。
      时间序列每个时间点的颗粒、膜损失、金属、有机物、缺陷、温度等。
      配方分段表每一步的时间、条件，以及该步对颗粒和膜损失的贡献。
      量测指标当前时间点的全部结果指标与判定。
      晶圆径向分布各半径处的膜损失、温度、液膜、辅助剂量和缺陷密度。
      颗粒坐标图当前时间点晶圆上每颗显示颗粒的 x / y 坐标与粒径区间。
      灵敏度扫描下方扫描图的数据点。

      数据预览：配方分段

      单因素灵敏度扫描 其余条件保持当前值

      工艺因素影响速查表

      模型说明：晶圆按半径分为 8 个环带，颗粒按 6 个粒径区间、线条顶部与沟槽内两种位置分别计算。颗粒去除率由附着力 (范德华力 × 粒径 × ζ 电位因子 × 化学刻蚀底切) 与去除力 (旋转圆盘壁面剪切、喷嘴冲击、二流体液滴、兆声声流与空化、刷洗) 之比决定，沟槽内的去除力按深宽比衰减；回收药液、过滤孔径、高转速回溅和背面冲洗决定新增颗粒。膜层刻蚀按 Arrhenius 温度关系和浓度计算，药液温度沿半径冷却，喷嘴驻留分布决定冲击增强。金属按各药液的去除速率与镀液金属浓度的沉积竞争计算。干燥倒塌按毛细力悬臂梁判据 Cr = 6γcosθH⁴ / (E·W³·s²) 的对数正态分布估计，IPA 置换效率随深宽比下降。SEM / FIB / TEM 图像由这些结果绘制，是示意图，不是实拍。系数参考公开文献的量级，仅供趋势分析。 · Tom聊芯片智造