CMP 抛光机台模拟器 v1.0

CMP 抛光机台模拟器v1.0

按单抛光盘机台建模:抛光盘与抛光垫、多区压力抛光头、修整器臂、研磨液喷管、装载杯和压力调节器面板。调整参数后点击启动,机台会按设定转速转动,并实时计算去除率、厚度分布与终点。

空闲
拖动旋转视角 · 滚轮缩放 · 右键平移

实时量测 Preston 方程 + 抛光头 / 抛光盘运动学

晶圆剩余厚度分布

径向去除率 当前参数,含边缘效应

晶圆点在抛光垫上的轨迹

工艺诊断

    模型说明

    去除率 RR(r) = Kp · P(r) · V(r) · 研磨液供给因子 · 流体润滑因子 · 垫面釉化因子 · 温度因子。V(r) 由抛光盘与抛光头的角速度、头中心位置和横向摆动对晶圆各半径、各角度取平均;超出抛光垫的部分记为无接触。P(r) 由中心、中间、边缘三区膜片压力平滑过渡,边缘 6 mm 内受保持环压力影响 (保持环压力低于膜片时边缘偏快)。V/P 过大时进入流体润滑区,去除率下降;沟槽帮助排液。修整器关闭时垫面逐渐釉化。Kp 和各系数取自公开文献量级,用于趋势分析。3D 动画按实时转速显示,工艺时钟可加速。